Esame completo di Elettrotecnica per il corso di Mathematical Engineering presso Politecnico di Milano. Materiale proveniente dall’archivio storico Studwiz e classificato per la consultazione online.
Esame completo di Elettrotecnica per il corso di Mathematical Engineering presso Politecnico di Milano. Materiale proveniente dall’archivio storico Studwiz e classificato per la consultazione online.
Qualità dell’importazione: il testo è stato estratto direttamente dal documento originale.
Passaggi rappresentativi riconosciuti nelle diverse parti del materiale. Il testo completo resta presente nella pagina per la ricerca, mentre l’anteprima compatta rende più semplice la lettura.
I Appello Invernale – AA 2024/2025 Elettronica - Ing. Matematica Milano, 08/01/2025 Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. Per facilitare il docente, scrivere con chiarezza ed ordine. εSiO2 = 1/3εSi, εSi = 1 pF/cm, q = 1.6×10-19 C, ni = 9.65×109 cm-3, VT = 26 mV. Es. 1 Si consideri una giunzione pn. Il lato n è a massa, il lato p connesso a Vext. NA = ND = 3×1016 cm-3; µn = 1200 cm2/Vs, µp = 400 cm2/Vs, τn = τp = 2 µs. 1.1 Calcolare Vext tale per cui il campo elettrico massimo in modulo è pari a 120 kV/cm (attenzione al segno di Vext!). 1.2 assumendo le basi corte, determinare il rapporto l ’n/l’p affinché |Jn(xp)/Jp(-xn)| sia pari a 1. Es. 2 Fig. 2.1 Si assumano tutti i transistori saturi. 2.1 Con riferimento al circuito di fig. 2.1, calcolare v out(s)/vin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. 2.2 Con riferimento al circuito di fig. 2.2, calcolare v out/iin. Es. 3 Fig. 3 Con riferimento al circuito di Fig. 3: 3.1 Calcolare il trasferimento ideale vout/iin 3.2 Calcolare Gloop
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