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I Appello Invernale – AA 2024/2025 Elettronica - Ing. Matematica Milano, 08/01/2025 Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. Per facilitare il docente, scrivere con chiarezza ed ordine. εSiO2 = 1/3εSi, εSi = 1 pF/cm, q = 1.6×10-19 C, ni = 9.65×109 cm-3, VT = 26 mV. Es. 1 Si consideri una giunzione pn. Il lato n è a massa, il lato p connesso a Vext. NA = ND = 3×1016 cm-3; µn = 1200 cm2/Vs, µp = 400 cm2/Vs, τn = τp = 2 µs. 1.1 Calcolare Vext tale per cui il campo elettrico massimo in modulo è pari a 120 kV/cm (attenzione al segno di Vext!). 1.2 assumendo le basi corte, determinare il rapporto l ’n/l’p affinché |Jn(xp)/Jp(-xn)| sia pari a 1. Es. 2 Fig. 2.1 Si assumano tutti i transistori saturi. 2.1 Con riferimento al circuito di fig. 2.1, calcolare v out(s)/vin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. 2.2 Con riferimento al circuito di fig. 2.2, calcolare v out/iin. Es. 3 Fig. 3 Con riferimento al circuito di Fig. 3: 3.1 Calcolare il trasferimento ideale vout/iin 3.2 Calcolare Gloop
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