Esame completo di Elettrotecnica per il corso di Mathematical Engineering presso Politecnico di Milano. Materiale proveniente dall’archivio storico Studwiz e classificato per la consultazione online.
Esame completo di Elettrotecnica per il corso di Mathematical Engineering presso Politecnico di Milano. Materiale proveniente dall’archivio storico Studwiz e classificato per la consultazione online.
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II Appello Invernale – AA 2023/2024 Elettronica - Ing. Matematica Milano, 27/01/2024 Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. Per facilitare il docente, scrivere con chiarezza ed ordine. εSiO2 = 1/3εSi, εSi = 1 pF/cm, q = 1.6×10-19 C, ni = 9.65×109 cm-3, VT = 26 mV. Es. 1 Fig 1.1 Fig 1.2 1.1 Si consideri la giunzione pn polarizzata indicata in Fig. 1.1. Vext è tale da far sì che la capacità di depletion valga 48.5 nF/cm2. Quanto vale la capacità di diffusione totale? 1.2 In fig. 1.2 è mostrato il profilo de gli e- minoritari in zona p per una giu nzione pn polarizzata in diretta. Quanto vale il tasso di ricombinazione per x = 20 µm? Es. 2 Fig. 2 Con riferimento al circuito di fig. 2, si assumano tutti i transistori saturi. 2.1 Calcolare vout1(s)/iin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. Rx = 0 Ω. 2.2 Trovare il Valore di Rx tale per cui Vout2/iin = -4k Ω in continua. Es. 3 Fig. 3 3.1 Calcolare la f.d.t. v out(s)/vin(s) ideale e disegnarne il diagramma di Bode del modulo 3.2 Calcolare Gloop(s), disegnarne il diagramma di Bode del modulo, e calcolare il margine di fase del circuito l’n l’p
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