Study material for Elettrotecnica, shared by the Studwiz community and reviewed by moderators.
Study material for Elettrotecnica, shared by the Studwiz community and reviewed by moderators.
Import quality: text was extracted directly from the original document.
Representative passages recognised in different parts of the material. The full extracted text remains available to search, while this compact preview makes the page easier to read.
II Appello Invernale – AA 2023/2024 Elettronica - Ing. Matematica Milano, 27/01/2024 Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. Per facilitare il docente, scrivere con chiarezza ed ordine. εSiO2 = 1/3εSi, εSi = 1 pF/cm, q = 1.6×10-19 C, ni = 9.65×109 cm-3, VT = 26 mV. Es. 1 Fig 1.1 Fig 1.2 1.1 Si consideri la giunzione pn polarizzata indicata in Fig. 1.1. Vext è tale da far sì che la capacità di depletion valga 48.5 nF/cm2. Quanto vale la capacità di diffusione totale? 1.2 In fig. 1.2 è mostrato il profilo de gli e- minoritari in zona p per una giu nzione pn polarizzata in diretta. Quanto vale il tasso di ricombinazione per x = 20 µm? Es. 2 Fig. 2 Con riferimento al circuito di fig. 2, si assumano tutti i transistori saturi. 2.1 Calcolare vout1(s)/iin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. Rx = 0 Ω. 2.2 Trovare il Valore di Rx tale per cui Vout2/iin = -4k Ω in continua. Es. 3 Fig. 3 3.1 Calcolare la f.d.t. v out(s)/vin(s) ideale e disegnarne il diagramma di Bode del modulo 3.2 Calcolare Gloop(s), disegnarne il diagramma di Bode del modulo, e calcolare il margine di fase del circuito l’n l’p
First page of the document.
