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FdE 06/07/2017 – BOZZA DI SOLUZIONE Es.1 a) f(A,B,C)=ܣ̅ ݀݊ܽ ܤത ݀݊ܽ ܥ̅ = (ܣ+ܤ +ܥ )തതതതതതതതതതതതതതതത. Nor a tre ingressi b) Tre nmos in parallelo c) Uscita commuta basso-alto attraverso la serie dei 3 pmos. Keq=K/3. T10-90% = T1 + T2. Tratto carica a corrente costante: T1=47ps Tratto approssimazione con resistenza equivalente: T2=665ps. Es.2 a) Imos=IB. Vout=5V-IB*R2=2V. nmos in saturazione. Vs=-1.8V. b) @BF, Vout/IIN=+R2 ; @AF, Vout/IIN= 0. c) IIN va nel parallelo tra R2 e C. Sommando polarizzazione e segnale: Vout(t)=2V+0.6V(1-e-t/τ). Es.3 a) @BF, Vout/IIN=-R2/(R2+ R3)*(R4+ R5)=-23.3kΩ @AF, Vout/IIN= -R2/(R2+ R3)*R5=-6.67kΩ. b) T(s) = -R2/(R2+ R3)*(R4+ R5) * (1+sC R4// R5)/ (1+sC R4) fP=1/2*π*C* R4 = 3.18MHz, fZ=1/2*π*C* (R4// R5) = 11.1MHz. c) Calcolo Gloop. f*=3MHz. PM=108°, il circuito è stabile. d) Effetto nullo di Ibias su Vout. e) Calcolare Gopen e ricavare Greale dal grafico con Gopen e Gid. f) IIN=A*sin(2*π*f). Vout=Gid(500kHz)*IIN. dVout/dt|max = -23.3kΩ*A*2*π*f < SR -> A<5.46µA. Es.4 a) n=11bit. LSBADC=4.88mV, LSBIN=0.7mV b) Sample: Vs,MIN=4.8V+VT=5.8V. Hold: Vs,MAX=-2.2V+ VT =-1.2V c) Charge injection ΔV=10V(Cgs/Cgs+CH)=4.99mV≈1LSB d) ΔVCH,MAX=7V. Caso pessimo Ron=100Ω. Ε= 7Ve-Tsample/τ. Tsample>2.91µs e) Tsample=2.91 µs. fcampionamento=150kHz -> Tsample+Thold=6.7 µs. TADC= 6.7 µs-2.91 µs=3.79 µs. ADC SAR: Tconv=(n+1)Tck= 12*250ns=3 µs. TSAR< TADC, si può utilizzare un ADC SAR a 11bit. f) THold= 3.79 µs. Caso pessimo RIN,ADC=1MΩ. scarica esponenziale di CH; E=7V(1-e-Thold/τ)=6.57mV≈1.3LSB.