07 Esercitazione Testo

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Esercitazione 7 Gerardo Malavena segnalare errori a [email protected] Esercizio 1 Grandezza Valore NA 4 × 1017 cm−3 ϵSi 1 pF/cm C ′ ox 60 nF/cm2 ϵox 1 3 ϵSi VF B 0 V Si consideri un condensatore MOS di tipo p in condizione di svuotamento con i parametri fisici indicati in tabella. Se la caduta di tensione sul substratoΦs = 0 .25 V, quanto vale la tensione di gate? Esercizio 2 Grandezza Valore NA 5 × 1016 cm−3 VF B 0.5 V tox 10 nm Si consideri un condensatore MOS di tipop con i parametri fisici indicati in tabella. • Calcolare VT H e l’estensione della carica spaziale quando il dispositivo si trova a soglia; • Calcolare la massima tensione di gateVG tale da avere un campo nell’ossido minore di 5 MV/cm; • Calcolare la carica nel canale nella condizione del punto precedente; • Si consideri un MOSFET, realizzato a partire dalla struttura MOS dei punti prece- denti, con L = 1 µm, W = 10 µm, VGS = 5 V, RDS = 250 Ω (resistenza di piccolo segnale del canale). Calcolare la mobilità degli elettroni nel canale. 1 Esercizio 3 VDS4.2V 0.8V VGS k(VGS-0.8)2 IDS IDS Con riferimento alle caratteristiche del transistore MOS in figura, si calcoli la carica libera nel canale in corrispondenza del source e del drain in regime di saturazione. (µn = 900 cm2/V · s, W L = 10, k = 115.2 × 10−6 A/V2) 2