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II Appello Invernale – AA 2022/2023 Elettronica - Ing. Matematica Milano, 09/02/2023 Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. Per facilitare il docente, scrivere con chiarezza ed ordine. εSiO2 = 1/3εSi, εSi = 1 pF/cm, q = 1.6×10-19 C, ni = 9.65×109 cm-3, VT = 26 mV. Es. 1 Fig. 1 Con riferimento al circuito di figura 1 , calcolare i seguenti trasferimenti ideali e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato 1.1 v out(s)/Vin1(s) 1.2 v out(s)/Vin2(s) (sostituendo a C1 e C3 dei circuiti aperti) Es. 2 Fig. 2 Con riferimento al circuito di fig. 2, si assumano tutti i transistori saturi. Si calcolino i seguenti trasferimenti e se ne disegni il diagramma di Bode del modulo quotato 2.1 v out(s)/vin1(s). 2.2 v out(s)/vin2(s) sostituendo a C2 un circuito aperto Es. 3 Fig. 3 3.1 Un transistore nMOS ha il source a massa, il drain a 10 V e il gate a 5 V. All’interfaccia, il punto x1 è tale per cui V c(x1) = 1 V, mentre il punto x2 è tale per cui V c(x2) = 9 V. Calcolare |in x1 e x2 la carica di canale, e qualora questa sia < 0 C, calcolare anche il campo nell’ossido.
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