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II Appello Estivo – AA 2024/2025 Elettronica - Ing. Matematica Milano, 09 /07/2025 Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. Per facilitare il docente, scrivere con chiarezza ed ordine. εSiO2 = 1/3εSi, εSi = 1 pF/cm, q = 1.6×10-19 C, ni = 9.65×109 cm-3, VT = 26 mV. Es. 1 Fig. 1.1 1.1 Si consideri un transistore nMOS polarizzato come segue: i l Bulk ed il Source sono entrambi a massa, il gate si trova a +6.5 V, l’estensione della zona svuotata lato drain è del 1% superiore a quella lato source. Calcolare la corrente che fluisce tra drain e source. NAB = 1016 cm-3, tox = 90 nm, VFB = 0 V. W = 1000 µm, L = 1 µm. Es. 2 Fig. 2.1 Si assumano tutti i transistori saturi. 1/gm = 0.5 kΩ 2.1 Si c alcoli v out(s)/iin(s) disegnandone il diagramma di Bode del modulo quotato 2.2 Si calcoli vout(s)/vin2(s) disegnandone il diagramma di Bode del modulo quotato Es. 3 Fig. 3.1 3.1 Si sostituisca a C1 un circuito aperto. Calcolare C2 in modo che il trasferimento ideale vout(s)/vin(s) valga 1 in modulo per f = 1 kHz. 3.2 Si sostituisca a C1 un circuito aperto. C2 = 4.7 pF. Calcolare il margine di fase. Ad0 = 103, τd = 0.5 s. Iin Vin + C2
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