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III Appello Invernale – AA 2023/2024 Elettronica - Ing. Matematica Milano, 14-02-2024 Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. Per facilitare il docente, scrivere con chiarezza ed ordine. εSiO2 = 1/3εSi, εSi = 1 pF/cm, q = 1.6×10-19 C, ni = 9.65×109 cm-3, VT = 26 mV. Es. 1 1.1 Si consideri un condensatore nMOS. Si vuole che a soglia il campo nell’ossido non superi 5x105 V/cm. Quale è il drogaggio massimo ammissibile per il bulk? VB = 0 V; VFB = 0 V; tox = 100 nm. Nota: si approssimi 2φF a 0.8 V. 1.2 Un transistore nMOS polarizzato in zona lineare porta 0.204 mA. A che velocità si muovono gli e - nel canale? VB = VS = 0 V; VFB = 0 V; tox = 90 nm; VGS = 3 V; VTH0 = 0.7 V; area 2x10-7 cm2; L = 1 µm; µn = 1200 cm2/Vs. Es. 2 Fig. 2.1 Fig. 2.2 Si assumano tutti i transistori saturi. 2.1 Con riferimento al circuito di fig. 2.1, calcolare v out(s)/iin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. 1/gm = 750 Ω. 2.2 Con riferimento al circuito di fig. 2.2 , calcolare v out(s)/vin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato Es. 3 Fig. 3.1 Fig. 3.2 3.1 Con riferimento al circuito di Fig. 3.1, disegnare su un diagramma quotato in funzione del tempo l’andamento di Vout discutendo lo stato di conduzione dei diodi. Iin è uno scalino da 1 mA. (Attenzione alla tensione su C per t = 0- s) 3.2 Con riferimento alla Fig. 3.2, calcolare il bordo della conduzione per D2. III Appello Invernale – AA 2023/2024 Elettronica - Ing. Matematica Milano, 14-02-2024