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III Appello Invernale – AA 2024/2025 Elettronica - Ing. Matematica Milano, 15/02/2025 Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. Per facilitare il docente, scrivere con chiarezza ed ordine. εSiO2 = 1/3εSi, εSi = 1 pF/cm, q = 1.6×10-19 C, ni = 9.65×109 cm-3, VT = 26 mV. Es. 1 Fig. 1.1 1.1 Si consideri la struttura n+, n, i, p+ indicata in figura 1.1 e polarizzata in inversa. La zona n e la zona i sono completamente svuotate. Il campo massimo misura 300 kV/cm in modulo. Calcolare Vext (trascurando Vbi). 1.2. Si consideri una giunzione pn a basi lunghe. N A = ND = 1016 cm- 3. τn = τp = 100 ns. Vext è tale da far sì che i minoritari in x p e -xn valgano 1/10 ni. Calcolare la capacità di giunzione. Es. 2 Fig. 2.1 Si assumano tutti i transistori saturi. R3 = 47 kΩ. 2.1 calcolare vout(s)/vin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato Es. 3 Fig. 3.1 C = 470 pf 3.1 Calcolare il trasferimento ideale v out(s)/iin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. 3.2 Calcolare Gloop(s), disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato e calcolare il margine di fase
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