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I Appello Invernale – AA 2018/2019 Elettronica Ing. Matematica Milano,18/01/2019 Note: Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. SiO2 = 1/3Si, Si = 1 pF/cm, q = 1.6×10-19 C, ni = 9.65×109 cm-3, VT = 26 mV. Es. 1 Fig. 1a 1.1 Si consideri un condensatore nMOS. La tensione di gate applicata crea una discotinuità nel campo elettrico all’interfaccia Si/SiO 2 tale per cui |E(0 +)| = 4|E(0-)|. Quanto vale il potenziale superficiale? NAB = 3×10 16 cm-3, n = 1200 cm 2/Vs, tox = 110 nm, V FB = 0 V, VB = 0 V. Es. 2 Fig. 2a 1/gm = 1 k per tutti i transistori C1 = C2 = C3 = 10 pF R1 = 25 K R2 = 5 k R3 = 20 k Con riferimento al circuito di Fig. 2a, e assumendo i transistori saturi: 2.1 Si sostituisica a C2 un corto circuito. v 1 = -v2= vd/2. Calcolare v out1/vd e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. 2.2 Si sostituisca a C3 un circuito aperto e a C1 un corto circuito. v 1 = v2= vcm. Calcolare vout2/vcm e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. Es. 3 Fig. 3a C1 = C2 = 20 pF. 3.1 Con riferimento al circuito di Fig. 3a, disegnare su un diagramma quotato in funzione del tempo l’andamento di Vout quando Iin ha l’andamento indicato in figura 3b. Discutere e indicare lo stato di conduzione del diodo. Si assumano le capacità inzialmente scariche. R = 0  3.2 Con riferimento al circuito di Fig. 3 a, si sostituisca a C1 un circuito apert o. R = 1 k Disegnare su un diagramma quotato in funzione del tempo l’andamento di Vout quando Iin ha l’andamento indicato in figura 3c. Discutere e indicare lo stato di conduzione del diodo. Si assuma C2 inzialmente scarica. vout1 vout2