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I Appello Invernale – AA 2020/2021 Elettronica - Ing. Matematica Milano, 18/01/2021 Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. Per avere miglior leggibilità del testo scansionato, scrivere in nero . Per facilitare il docente, s crivere con chiarezza ed ordine . εSiO2 = 1/3εSi, εSi = 1 pF/cm, q = 1.6×10-19 C, ni = 9.65×109 cm-3, VT = 26 mV. Es. 1 Fig. 1a Con riferimento al circuito di figura 1a: 1.1 Assumendo l’interruttore aperto, Iin un rettangolo di corrente di durata 100 ns e ampiezza 1mA, disegnare su un diagramma quotato in funzione del tempo l’andamento di V out, indicando lo stato di conduzione del diodo. Il condensatore è inizialmente scarico. 1.2 Assumendo l’interruttore chiuso, Iin una rampa di corrente con pendenza 100 µA/s, quando si accende il diodo? Es. 2 Si consideri un condensatore nMOS. Il potenziale superficiale φs vale 0.360 V. In questa condizione, n(0) = 0.1 ni. Calcolare VG. tox = 100 nm, VFB = 0 V. Es. 3 Fig. 3a Si consideri il circuito di fig. 3a, e si assumano tutti i transistori saturi 3.1 calcolare il trasferimento vout1/vin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato 3.2 calcolare il trasferimento vout2/vin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato
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