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III Appello Invernale - AA 21/22 Elettronica - Ing. Matematica Milano, 19/02/2022 Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. Per avere miglior leggibilità del testo scansionato, scrivere in nero . Per facilitare il docente, s crivere con chiarezza ed ordine . εSiO2 = 1/3εSi, εSi = 1 pF/cm, q = 1.6×10-19 C, ni = 9.65×109 cm-3, VT = 26 mV. Es. 1 Fig. 1.1 Si consideri il circuito di fig. 1.1, e si assumano i transistori tutti saturi. Sia v in1= vin2 = vcm: si calcoli il trasferimento vout1(s)/vcm(s), e se ne disegni il diagramma di Bode del modulo quotato. Es. 2 Fig. 2 Con riferimento al circuito di figura 2, si calcolino i seguenti trasferimenti ideali e se ne disegni il diagramma di Bode del modulo quotato 2.1 per Vin1 = -Vin2 = Vd/2, Vout(s)/Vd(s). C2 = 20 pF 2.2 per V in1 = Vin2 = Vcm, Vout(s)/Vcm(s), sostituendo a C2 un circuito aperto Es. 3 3.1 Si consideri un condensatore nMOS. A soglia, |Q d| = 13.8 nC/cm 2. Sia ora V gb tale da far sì che il campo nell’ossido sia pari a 240 kV/cm. Calcolare, in questa condizione, Qc. Fig. 3 3.2 In un condensatore nMOS, il grafico di Fig. 3 mostra l’andamento del campo nell’ossido in funzione di Vgb per Vgb > Vth. L’ossido del condensatore non è SiO2! Sapendo che NA = 1016 cm-3, calcolare la capacità specifica dell’ossido misterioso. Vgb , III Appello Invernale - AA 21/22 Elettronica - Ing. Matematica Milano, 19/02/2022
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