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II Appello Invernale – AA 2019/2020 Elettronica - Ing. Matematica Milano, 20/02/2020 Note: Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. εSiO2 = 1/3εSi, εSi = 1 pF/cm, q = 1.6×10-19 C, ni = 9.65×109 cm-3, VT = 26 mV. Es. 1 Fig. 1a 1.1 Si consideri una giunzione pn così polarizzata: zona n a massa e zona p a 0.65 V. Calcolare il rapporto tra la capacità di diffusione dovuta agli elettroni minoritari e quella dovuta alle lacune minoritarie. τn = 800 ns, τp = 800 ns, µn = 1200 cm2/Vs, µp = 650 cm2/Vs, lp’ = 5 µm, ln’ = 250 µm. NA = ND = 1016 cm-3. 1.2 Si consideri una giunzione pn a basi corte (Fig. 1a). Per V ext = V *, il tempo di transito degli elettroni in zona neutra p diminuisce del 30% rispetto al valore che ha per V ext = 0 V. Calcolare V*. τn = τp = 0.5 µs, µn = 1200 cm2/Vs, µp = 650 cm2/Vs, lp = ln = 5 µm. NA = ND = 1017 cm-3. Es. 2 Fig. 2a 2.1 Con riferimento al circuito di Fig. 2a, calcolare il margine di fase. Ad0 = 103, τd = 350 ms. Es. 3 Fig. 3a Con riferimento al circuito di fig. 3a, assumendo tutti i transistori saturi (1/gm = 2 kΩ): 3.1 Calcolare la funzione di trasferimento Vout1(s)/Vin1(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato 3.2 Calcolare la funzione di trasferimento Vout2(s)/Vin2(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato
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