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Elettronica per ing. BIO proff. Alberto Tosi, Angelo Gulinatti, Giacomo Langfelder 21 Gennaio 2021 Es. 1 R1 = 3 k, R2 = 1 k, IG = 0.5 mA, T= 200µs a) Senza condensatore C e con Vin(t)=10V·sin(2π·10kHz·t), disegnare l’andamento temporale quotato di Vout(t). b) Con il condensatore C = 10 nF e Vin(t) un impulso come in figura, disegnare l’andamento temporale quotato di Vout(t). Es. 2 IG = 2.5 mA, R2 = 10 k, R3 = 50 , CA = 8 µF, CB = 5 nF MOSFET: VTn = |VTp| = 1V, kn= 2 mA/V2, |kp|= 2.5 mA/V2. a) Con Vin = 0 V, dimensionare R 1 in modo tale che sia I D1= 0.5 mA. Calcolare inoltre tutte le correnti e le tensioni di polarizzazione del circuito. b) Disegnare il diagramma di Bode quotato del modulo e della fase del guadagno G(f) = vout(f) / vin(f). Es. 3 R1 = 19 k, R2 = 100 k, R3 = 10 k, R4 = 1 k. C1 = 15 nF, C2 = 100 pF. OpAmp: A0 = 106, GBWP = 10 MHz, IBIAS = 1 pA (uscenti). a) Disegnare il diagramma di Bode del modulo del trasferimento ideale TIDEALE (f) = Vout (f) / Iin(f). b) Disegnare il diagramma di Bode del modulo del trasferimento reale TREALE (f) = Vout (f) / Iin(f) e valutare la stabilità del circuito. c) Calcolare il valore DC dell’uscita Vout quando Iin = 0 A. Es. 4 Un sensore di temperatura è basato su una termoresistenza con resistenza: 𝑅𝑇(𝑇) = 𝑅0 ∙ 𝑒 𝐵∙(1 𝑇− 1 𝑇0 ) dove R0 = 10 kΩ, B = 4000 K, T0 = 300 K e T è la temperatura, espressa in kelvin, che varia nell’intervallo [250; 350] K. RA = 22 kΩ. IP = 10 µA. ADC con n=12 bit. INA con resistenze interne da RINA = 10 kΩ. a) Trascurando CIN, dimensionare RG e VREF per sfruttare l’intera dinamica dell’ADC. b) Dimensionare CIN per avere un polo a 10 Hz quando la temperatura è T = 250 K. c) Volendo campionare ad una frequenza fC = 1 kHz, sapendo che l’ADC ha un tempo di conversione T CONV = 100 µs e che il…