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Fondamenti di Elettronica – Ing. AUTOMATICA e INFORMATICA - AA 2013/2014 Secondo appello – 21 Luglio 2014 Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Ad esempio A1) … Esercizio A : Si consideri il circuito in figura realizzato in tecnologia CMOS. Dati: V DD =3.3V VTn =-VTp =0.8V C’ ox = 5fF/ µm2 L= 0.25 µm per tutti i MOS Le porte 2 e 3 sono uguali con k P=k N=k= 1/2 ·µCox W/L= 625 µA/V 2 ; WN=12.5 µm; WP = 25 µm. 1) Disegnare lo schema elettrico completo del circuito. Calcolare i tempi di propagazione (0-50%) della porta 2 ipotizzando che venga comandata da un ingresso a gradino 0-VDD . 2) Dimensionare il k dei MOS p della rete di pull-up della porta 1 per avere tempi di propagazione tra loro simmetrici quando EN=1. La rete di pull-down della porta 1 ha nMOS aventi lo stesso k delle porte 2,3. Dal k calcolato determinare inoltre la W dei MOS p della porta 1. 3) Stimare l’eventuale frequenza di oscillazione dell’uscita OUT nelle due possibili configurazioni dell’ingresso EN. Si supponga a tal fine che ogni porta introduca un ritardo pari al tempo di propagazione e che il tempo complessivo di ritardo di una cascata di porte possa essere ottenuto sommando tali ritardi. 4) Calcolare la potenza dinamica dissipata dall’intero circuito quando EN=1 assumendo che tutte le porte logiche commutino tra 0 e V DD . Esercizio B : Si consideri l’amplificatore in figura. Dati: R1=1 k Ω R2=R3=2 k Ω C=10 pF 1) Calcolare il guadagno Vout/Vin a bassa frequenza supponendo dapprima l’operazionale ideale e successivamente assumendo che esso presenti un guadagno costante A0=80dB. 2) Determinare la funzione di trasferimento Vout/Vin(s) supponendo l’operazionale ideale. Tracciare il diagramma di Bode (modulo e fase) calcolando i punti significativi. 3) Si introduca una resistenza…