Document information
- University
- Politecnico di Milano
- Degree programme
- Computer Engineering
- Subject
- Fondamenti di Elettronica
- Material language
- Italian
- Classification
- Exam · Full exam
- Content
- Exam paper only
- Original format
- Text
- Searchable text
Study material for Fondamenti di Elettronica, shared by the Studwiz community and reviewed by moderators.
Study material for Fondamenti di Elettronica, shared by the Studwiz community and reviewed by moderators.
Import quality: text was extracted directly from the original document.
Representative passages recognised in different parts of the material. The full extracted text remains available to search, while this compact preview makes the page easier to read.
Fondamenti di Elettronica – Ing. INFORMATICA - AA 2014/2015 - 21 luglio 2015 Traccia della soluzione Esercizio A 1) = ̅ ( (̅ 2) La rete di pull-down è la seguente: 3) La transizione ABCD=1111 ABCD=1010 porta l’uscita da bassa (0V) ad alta (5V ). Per il calcolo del tempo di commutazione 10% - 90% è da considerare il tempo ri chiesto per andare da 500mV a 4.5V. Durante questo transitorio il MOSFET è quasi sempre in zona ohmica , risulta pertanto ragionevole approssimare il MOS con una resistenza di valore Req=5V/I d,sat ottenendo una stima per eccesso del tempo di commu tazione. Durante il transitorio sono accesi due pMOS in serie (comandat i da B e D) che si comportano come un MOS con keq =k/2=0.5mA/V 2 che permette di calcolare I d,sat = 8mA e Req= 625Ohm. Abbiamo quindi: (=5⋅ 1−exp − !" ## 0.5= (& → &=− !" ln (0.9 4.5= (, →,= − !" ln (0.1 Il tempo di propagazione è quindi t2-t1= Cout∙Req∙ln(9). Imponendo t2-t1=2ns si ha Cout= 1.45pF 4) L’uscita va alta quando sia B sia C sono bassi. La frequenza di commutazione dell’uscita è quindi data dal segnale più lento, 1MHz. La frequenza è tale da permettere all’uscita di commutare completamente tra 0V e 5V portando a una potenza dissipata di P d= 25 µW. Esercizio B 1) La tensione al gate di M1 sarà Vg1=Vdd*R2/(R2+R1)=3 V, quindi nell’ipotesi di saturazione del mos M1 la corrente sarà I1=1mA e la gm1=2ms, da cui ne deriva una tensione ai capi di R3 pari a 3V. Quindi il mo s M1 è saturo come da ipotesi. Per quanto riguarda il mos M2 la tensione al suo gate Vg2 è pari a 3V e impos tando l’equazione Vs=Rout*Kn(Vgs-Vt) 2, nell’ipotesi di saturazione del Mos2, si ottiene un valore di Vs=Vout pari a 1V. Il mos M 2 è quindi saturo e con una corrente I2=1mA e una gm2=2ms.…
First page of the document.