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II Appello Invernale – AA 2024/2025 Elettronica - Ing. Matematica Milano, 24/01/2025 Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. Per facilitare il docente, scrivere con chiarezza ed ordine. εSiO2 = 1/3εSi, εSi = 1 pF/cm, q = 1.6×10-19 C, ni = 9.65×109 cm-3, VT = 26 mV. Es. 1 1.1 Si consideri un transistore nMOS. VFB = 0 V, VG = 3 V, VB = 0 V, tox = 50 nm, µn = 1200 cm2/Vs, NAB = 3 × 1015 cm-3. VS = VD = VC. Sia VC* tale per cui se VC > VC* allora Qch = 0 C. Calcolare VC*. 1.2 Si consideri un condensatore nMOS. Qch = -1 nC/cm2, tox = 100 nm, VFB = 0 V, NAB = 1016 cm-3. Calcolare VG. Il bulk è a massa. Es. 2 Fig. 2.1 Si assumano tutti i transistori saturi. 2.1 calcolare vout1(s)/iin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato, sostituendo a C3 e C4 dei circuiti aperti. 2.2 Calcolare vout2(s)/vin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato (considerando anche C3 e C4!). Es. 3 Fig. 3.1 Fig. 3.2 3.1 Con riferimento alla Fig. 3.1, disegnare su un diagramma quotato l’andamento di i in(t), discutendo lo stato di conduzione dei diodi. Il condensatore è inizialmente scarico. Vin è uno scalino di 2 V. 3.2 Con riferimento alla Fig. 3.2, disegnare su un diagramma quota to l’andamento di vout(t), discutendo lo stato di conduzione dei diodi. Il condensatore è inizialmente scarico. Iin è uno scalino di 1 mA.
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