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I Appello Estivo – AA 2022/2023 Elettronica - Ing. Matematica Milano, 26/06/2023 Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. Per facilitare il docente, scrivere con chiarezza ed ordine. εSiO2 = 1/3εSi, εSi = 1 pF/cm, q = 1.6×10-19 C, ni = 9.65×109 cm-3, VT = 26 mV. Es. 1 Fig. 1 Con riferimento al circuito di figura 1 1.1 Calcolare il Gloop(s), disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato e calcolare il margine di fase. 1.2 Si assuma C1 un corto circuito. Vin = 1 V in continua. Calcolare (V +-V-) considerando il trasferimento reale. Es. 2 Fig. 2 Con riferimento al circuito di fig. 2, si assumano tutti i transistori saturi e con 1/gm pari a 500 Ω. [C1 = 4.7 nF] 2.1 Si consideri C2 un circuito aperto. Calcolare v out(s)/vin1(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. 2.2 Si consideri C1 un circuito aperto. Calcolare v out(s)/vin2(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. Es. 3 Fig. 3 3.1 Si consideri la struttura n+/p+/i/p++ in figura. Vext = - 40.55 V. Calcolare l’estensione della regione intrinseca, sapendo che le regioni p+, p + + sono completamente svuotate e che la regione n+ è svuotata per 250 nm. Si trascurino i campi di built in.
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