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Appello Estivo – AA 2021/2022 Elettronica - Ing. Matematica Milano, 30/08/2022 Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. Per avere miglior leggibilità del testo scansionato, scrivere in nero . Per facilitare il docente, s crivere con chiarezza ed ordine. εSiO2 = 1/3εSi, εSi = 1 pF/cm, q = 1.6×10-19 C, ni = 9.65×109 cm-3, VT = 26 mV. Es. 1 Fig. 1 Con riferimento al circuito di figura 1 (assumendo i transistori saturi): 1.1 vin1(s) = -vin2(s) = vd(s)/2. Calcolare il trasferimento [vout1(s)- vout2(s)]/vd(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato 1.2 vin1(s) = vin2(s) = vcm(s). Calcolare il trasferimento vout1(s)/vcm(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. Es. 2 Fig. 2 2.1 Si consideri circuito di fig. 2 . Iin è una sinusoide di ampiezza 1 m A e frequenza 10 MHz. Considerando il trasferimento reale Vout/Iin, si calcoli l’ampiezza della sinusoide sul nodo di uscita. Es. 3 Fig. 3 Si consideri il transistore nMOS in figura. Il bulk afferisce a massa tramite un resistore R. W = 100 µm, L = 5 µm, NA = 5 × 1016 cm-3, VFB = 0.1 V, tox = 25 nm. VS = VD = 0 V. 3.1 Sia R = 0 Ω. La tensione di gate è tale da mantenere il transistor in forte inversione, e Qc = -5.52 ×10-13 C. Quanto vale il campo nell’ossido? 3.2 Sia R = 50 Ω. Si assuma che in R fluisca una corrente I (ad esempio prodotta dalla giunzione canale- substrato polarizzata in inversa). Si calcoli 𝒹𝒹𝑉𝑉𝑇𝑇 𝒹𝒹I /𝑉𝑉𝑇𝑇 per I tendente a 0 A. vin1 vin2