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I Appello Estivo – AA 2013/2014 Elettronica Ingegneria Matematica Milano, 02/07/2014 Note: Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. SiO2=1/3Si, Si=1pF/cm, q=1.6×10-19C, ni=9.65×109 cm-3, VT=26mV. Es. 1 Fig. 1a 1.1 Si consideri un transistore MOS. VS=VD=3V. VG è tale da portare il potenziale superficiale s a metà del valore che raggiunge in forte inversione. Quanto vale in queste condizioni il campo nell’ossido? N A=5×1016 cm-3, n=1200cm2/Vs, tox=225nm, VFB=0 V, VB=0V. 1.2 Si consideri un transistore MOS. VS=0.5V, VD=7V. VG=6V. In un certo punto ̅ compreso tra il source ed il drain (Fig. 1a), il potenziale superficiale s vale 1.5V. Quanto vale il campo nell’ossido per ̅ ? NA=1016 cm-3, n=1200cm2/Vs, tox=170nm, VFB=0V, VB=0V. Es. 2 Fig. 2a R1=50k, C1=100pF, R2=10k, R3=1k, C2=10pF Fig. 2b R1=40k, C1=10pF, R2=50k, C2=1nF 2.1 Con riferimento al circuito di Fig. 2a, disegnare su un diagramma quotato in funzione del tempo l’andamento di Vout2, discutendo lo stato di conduzione di D2. La tensione su C2 è nulla per t < 0s. 2.2 Con riferimento al circuito di Fig. 2a, disegnare su un diagramma quotato in funzione del tempo l’andamento di Vout1, discutendo lo stato di conduzione di D1. La tensione su C1 è nulla per t < 0s. 2.3 Si consideri circuito il circuito di Fig. 2b. Iin è nulla per t < 0 mentre per t > 0 è un’onda quadra a media nulla compresa tra +1A e – 1A, di periodo 2s e duty cycle 50%. Per t=101.5s, quanto vale Vout? La tensione su C1 e C2 è nulla per t < 0s. Es. 3 Fig. 3a Fig. 3b Fig. 3c 3.1 Con riferimento al circuito di Fig. 3a calcolare il guadagno ideale. R=10k 3.2 Nel circuito di Fig. 3b Gloop…