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Appello Invernale – AA 2013/2014 Elettronica Ingegneria Matematica Milano, 4/03/2014 Note: Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. SiO2=1/3Si, Si=1pF/cm, q=1.6×10-19C, ni=9.65×109 cm-3, VT=26mV. Es. 1 Fig. 1a Fig. 1b 1.1 Si consideri un condensatore MOS. Al variare di VG (VG>0V), quanto vale al massimo campo elettrico in x=0- (vedasi Fig. 1a)? NA = 1016 cm-3, tox=120nm, VB=0, VFB=0V. 1.2 Una giunzione pn è polarizzata in inversa, Vext= -0.1V. Con riferimento a Fig. 1b, calcolare la concentrazione degli elettroni nei seguenti punti: x1 (in zona neutra n che dista 10m dal bordo con la zona di carica spaziale), x2 (in zona neutra p che dista 1m dal bordo con la zona di carica spaziale), x3 (la giunzione metallurgica). NA = 1016 cm-3, ND = 3×1016cm-3 , n=1200cm2/Vs,p=400cm2/vs, n=30ns, p=300ns, Wn=m, Wp=200m. 1.3 Una giunzione pn è polarizzata in diretta tale che 1/3 della zona di carica spaziale è soggetta ad un campo elettrico <= 10 kV/cm. Calcolare la concentrazione degli elettroni al bordo tra la zona di carica spaziale e la zona neutra p. Si trascuri l’estensione della zona svuotata in zona n. NA = 1016 cm-3, ND = 1017cm-3. n=1200cm2/Vs,p=400cm2/vs, n=100ns, p=500ns, Wn=50m, Wp=5m. Es. 2 Fig. 2a Fig. 2b Fig. 2c 2.1 Con riferimento al circuito di Fig. 2a, disegnare su un diagramma quotato in funzione del tempo l’andamento della corrente nel diodo, discutendone lo stato di conduzione per 0s<t<2s. R=1.3k. 2.2 Con riferimento al circuito di Fig. 2b, disegnare su un diagramma quotato in funzione del tempo l’andamento di Vout discutendo lo stato di conduzione del diodo. La corrente Iin è un…