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II Appello Invernale – AA 2018/2019 Elettronica Ing. Matematica Milano, 08/02/2019 Note: Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. SiO2 = 1/3Si, Si = 1 pF/cm, q = 1.6×10-19 C, ni = 9.65×109 cm-3, VT = 26 mV. Es. 1 Fig. 1a 1.1 Si consideri una giunzione pn polarizzata. V ext (applicato alla zona p mantenendo la zona n a massa) vale 0.655 V. Sapendo che: p n(-xn)*np(xp) = 2.194×1019 cm-6, e che pn(-xn) + np(xp) = 1.082×1015 cm-3, calcolare l’estensione della zona svuotata. Es. 2 Fig. 2a Con riferimento al circuito di Fig. 2a, e assumendo i transistori saturi: 2.1 Calcolare vout/vin e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. Es. 3 Fig. 3a Fig. 3b 3.1 Con riferimento al circuito di fig. 3a calcolare il trasferimento ideale Vout/Iin e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. 3.2 Con riferimento al circuito di fig. 3b, determinare R3 affinchè l’unica singolarità di Gloop(s) sia rappresentata dal polo dovuto all’operazionale.
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