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II Appello Estivo – AA 2019/2020 Elettronica - Ing. Matematica Milano, 08/07/2020 Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. Per avere miglior leggibilità del testo scansionato, scrivere in nero . Per facilitare il docente, s crivere con chiarezza ed ordine . εSiO2 = 1/3εSi, εSi = 1 pF/cm, q = 1.6×10-19 C, ni = 9.65×109 cm-3, VT = 26 mV, k = 1.38×10-23 m2 kg s-2 K-1. Es. 1 Fig. 1a 1.1 Si consideri un condensatore MOS . Il drogaggio di substrato è 3×1016 cm-3, tox = 130 nm, V FB = 0.3 V. Calcolare la tensione di soglia. 1.2 Si consideri un condensatore MOS. Il drogaggio di substrato è 1×1017 cm-3, VFB = 0 V. A soglia, il quadrato del campo elettrico nell’ossido, ( Eox)2, ha la dipendenza dalla temperatura indicata in figura 1a. Sapendo che 𝑛𝑛𝑖𝑖≅ 𝛽𝛽𝑒𝑒−6726 𝑇𝑇, determinare β (T è la temperatura assoluta). Es. 2 Fig. 2a Con riferimento al circuito di Fig. 2a: 2.1 Calcolare il trasferimento ideale Vout/Iin Es. 3 Fig. 3a Si consideri il circuito di fig. 3a, e si assumano tutti i transistori saturi: 3.1 calcolare la f.d.t. vout(s)/iin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato
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