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Appello Invernale – AA 2017/2018 Elettronica Ingegneria Matematica Milano, 09/02/2018 Note: Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. εSiO2=1/3εSi, εSi=1pF/cm, q=1.6×10-19C, ni=9.65×109 cm-3, VT=26mV. Es. 1 Fig. 1a 1.1 Si consideri un condensatore nMOS. L’ossido può sopportare al massimo un campo pari a 1 MV/cm. Quale è la massima tensione positiva di gate che si può applicare? NAB = 4×1015 cm-3, µn = 1200 cm2/Vs, tox = 80 nm, VFB = 0.4 V, VB= 0 V. 1.2 Si consideri una giunzione pn (Fig. 1a). NA = 2ND = 2×1016 cm-3. La polarizzazione esterna applicata fa sì che la capacità di giunzione valga 47.3 nF/cm2. In queste condizioni la zona neutra p ha una estensione di 250 µm e quella n di 5 µm. Calcolare la concentrazione degli elettroni in eccesso in zona neutra p nel punto x2 così definito: x2-xp= 50 µm; µn = 1200 cm2/Vs, µp = 650 cm2/Vs, τn = τp = 850 ns. Es. 2 Fig. 2a Con riferimento al circuito di Fig. 2a, e assumendo i transistori saturi: 2.1 Calcolare Vout1/Vin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. Si assuma C2 un circuito aperto. 2.2 Calcolare Vout2/Iin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. Es. 3 Fig. 3a 3.1 Con riferimento al circuito di Fig. 3a, calcolare Vout1/Vin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. Si assuma l’operazionale ideale. 3.2 Con riferimento al circuito di Fig. 3a, calcolare Vout2/Iin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. Si assuma l’operazionale ideale.