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I Appello Invernale – AA 2019/2020 Elettronica Ing. Matematica Milano, 13/01/2020 Note: Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. εSiO2 = 1/3εSi, εSi = 1 pF/cm, q = 1.6×10-19 C, ni = 9.65×109 cm-3, VT = 26 mV. Es. 1 1.1 Si consideri un transistore nMOS . NAB = 5×1015 cm-3, tox = 110 nm, VFB = 0.3 V, VS = VD > 0 V, VB = 0 V. La tensione di gate VG è tale da far sì che QC = 0 C/cm2 e |QD| = 69.28 nC/cm2. Calcolare VG. 1.2 Si consideri un transistore nMOS. NAB = 1017 cm-3, tox = 70 nm, VFB = 0 V, VG = 5 V, VB = 0 V. VS = VD = VC. Quale è la tensione di canale VC per cui il transistor si trova a soglia? Es. 2 Fig. 2a 2.1 Con riferimento al circuito di Fig. 2a, assumendo i transistori saturi, si calcoli v out(s)/vin(s) e se ne disegni il diagramma di Bode del modulo quotato. 1/gm = 1 kΩ per tutti i transistori. Es. 3 Fig. 3a Fig. 3b 3.1 Con riferimento al circuito di fig. 3a, disegnare su un diagramma quotato in funzione del tempo l’andamento di Vout, indicando lo stato di conduzione del diodo. La capacità è inzialmente scarica. 3.2 Con riferimento al circuito di fig. 3b, disegnare su un diagramma quotato in funzione del tempo l’andamento di ic, indicando lo stato di conduzione del diodo. La capacità è inzialmente scarica.
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