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II Appello Estivo – AA 2016/2017 Elettronica Ingegneria Matematica Milano, 14/07/2017 Note: Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. SiO2=1/3Si, Si=1pF/cm, q=1.6×10-19C, ni=9.65×109 cm-3, VT=26mV. Es. 1 Fig. 1a. NA= 1016 cm-3, n=1200cm2/Vs, tox=20nm, VFB=0 V, VB=0.1V, W/L=100 R=1k VDD=5V Fig. 1b. 1.1 Con riferimento a Fig. 1a. Iin è tale da portare il potenziale superficiale lato source nel transistore MOS al valore di 2F, mentre la corrente portata dal MOS è pari a 0A. Calcolare Iin. La caratteristica dei diodi – identici- è I=IS(exp(Vd/Vt)-1), IS=0.1pA. 1.2 Si consideri una struttura p+/i/p/i/n+ (Fig. 1b), i cui rispettivi drogaggi sono 1017 cm-3, 0 cm-3, 1016 cm-3, 0 cm-3, 1017 cm-3. La struttura è polarizzata in inversa tale per cui le regioni p ed i sono completamente svuotate ed il modulo del campo elettrico assume un massimo pari a 250 kV/cm. Calcolare l’estensione complessiva della regione svuotata. Es. 2 Fig. 2a Si consideri il circuito di Fig. 2a. R2=R3=150k. si assuma per tutti i transistori saturazione e gm-1=500. 2.1 Vin1=-Vin2=Vd/2. Calcolare Vout/Vd. Z=1k. Si sostiuisca a R1 un circuito aperto. 2.2 Calcolare Vout(s)/Vin3(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. Z=RZ||1/sCZ, RZ=6k, CZ=150pF, R1=10k Es. 3 Fig. 3a Ad0=100, (2d)-1 = 10Hz Fig. 3b Con riferimento al circuito di Fig. 3a: 3.1 Calcolare il trasferimento reale Vout/Vin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. Se Vin(t) è una sinusiode di ampiezza 1V e frequenza 1kHz, quali sono l’ampiezza e lo sfasamento della sinusiode in uscita? 3.2 Per il circuito di Fig. 3b calcolare e disegnare i diagramma di…