appello 15 09 2015 testo

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I Appello autunnale – AA 2014/2015 Elettronica Ingegneria Matematica Milano, 15/09/2015 Note: Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. SiO2=1/3Si, Si=1pF/cm, q=1.6×10-19C, ni=9.65×109 cm-3, VT=26mV. Es. 1 Fig. 1a Fig. 1b 1.1 Si consideri il circuito di Fig. 1a. Considerando il guadagno ideale, calcolare Vout/Iin. R1=10k, R2=20k, R3=R4=40k. 1.2 Si consideri il circuito di Fig. 1b. Considerando il trasferimento reale, determinare R1 tale per cui |Greale(f)|=0.5 per f=10kHz. R2=100k, Ad0=103,d=10ms Es. 2 Fig. 2a Fig. 2b Si assumano i transistori tutti saturi. 2.1 Si consideri il circuito in Fig. 2a. Calcolare Vout (s)/Vin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. 1/gm=5k, R1=R2=20k, R3=4k, C=470pF, R4=100k. Si consideri il circuito in Fig. 2b. R1=100k, R3=600k, R4=1k, 1/gm=2.5k, C=47pF 2.2 Vin1=Vin2=1V. Calcolare R2 in modo che Vout1=Vout2. 2.3 R2=2kVin2=0. Calcolare Vout1(s)/Vin1(s) e disegnarne il diagramma do Bode del modulo quotato. Es. 3 3.1 Si consideri una giunzione pn polarizzata in diretta. Scrivere l’espressione del tempo di transito degli elettroni minoritari in zona neutra p al variare di Vext, per Vext compreso tra 0 e 0.5 V. Attenzione: non si trascuri il fatto che xp=xp(Vext). n=p=1s, n=1200cm2/Vs, p=400cm2/Vs. Per Vext=0V la zona neutra p si estende per 10m, quella n per 20m. ND= NA=3×1015cm-3 3.2 Si consideri un condensatore nMOS. Vfb=0V. NA=5×1016cm-3, tox=100nm. Calcolare la concentrazione di lacune (#lacune/cm3) all’interfaccia fra Si e SiO2 quando VGB=VTH0. 3.3 Si consideri una struttura n+/p/i/p+, polarizzata in inversa in modo tale che il campo elettrico…