appello 17 02 2017 testo

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I appello – AA 2016/2017 Elettronica Ingegneria Matematica Milano, 17/02/2017 Note: Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. SiO2=1/3Si, Si=1 pF/cm, q=1.6×10-19 C, ni=9.65×109 cm-3. Fig. 1a Fig. 1b Si assumano tutti i transistori saturi. 1.1 Fig. 1a. Calcolare Vout1(s)/Iin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. 1.2 Fig 1a. Calcolare Vout2(s)/Vin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato assumendo C3 in corto circuito. 1.3 Fig. 1b. Calcolare Vout(s)/Iin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. Es. 2 2.1 Si consideri una giunzione pn. Il campo di rottura è pari a 5×105 V/cm. Sia Vext* la tensione che porta alla rottura della giunzione. Quanto vale la capacità di giunzione per V ext = Vext* ? NA =1015 cm-3, ND = 5 × 1015 cm-3. n = 1200 cm2/Vs, p = 400 cm2/Vs, n = p = 200 ns, Wn=Wp= 100 m. (Vext è applicato alla zona p, la zona n è a massa). 2.2 Si consideri un condensatore nMOS. Cgb1 è la capacità tra gate e bulk misurata per s = 1/10F. Cgb2 la capacità tra gate e bulk misurata per VGB = +10 V. Calcolare Cgb1/Cgb2. NAB = 1016 cm-3, tox = 65 nm, VFB = 0.1 V, n = 1200 cm2/Vs. Es. 3 Fig. 3a Fig. 3b 3.1 Si consideri il circuito di Fig. 3a. Sia Vin una sinusoide a frequenza 10 kHz. Di quanto risulta essere lo sfasamento dell’uscita rispetto all’ingresso? Si considerino i trasferimenti reali. R = 100k 3.2 Si consideri il circuito di Fig. 3b. Calcolare il trasferimento ideale Vout/Iin. Vout Vout