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Appello Estivo – AA 2017/2018 Elettronica Ingegneria Matematica Milano, 17/07/2018 Note: Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. SiO2=1/3Si, Si=1pF/cm, q=1.6×10-19C, ni=9.65×109 cm-3, VT=26mV. Es. 1 1.1 Si consideri un transistore nMOS. VG = 7V, VS = 0.3 V, VD = 1.5 V. Calcolare QD e QC lato source. NAB = 1016 cm-3, n = 1200 cm2/Vs, tox = 85 nm, VFB= 0 V, VB= -0.5 V. 1.2 Si consideri una giunzione pn. NA = 3×1016 cm-3, ND = 1016 cm-3. n = 1200 cm 2/Vs, p = 400 cm 2/Vs. Sia 𝑉𝑒𝑥𝑡̅̅̅̅̅ la tensione esterna tale per cui n(xp)=1/10 np0. Si assuma 𝑉𝑒𝑥𝑡̅̅̅̅̅ applicato alla zona p, la zona n a massa, le basi corte. Quante vale in queste condizioni la capacità di giunzione? Es. 2 Fig. 2a Con riferimento al circuito di Fig. 2a, e assumendo i transistori saturi: 2.1 Calcolare Vout1/Vin2(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. 2.2 Calcolare (Vout1-Vout2)/Iin2(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato, assumendo C3 in corto circuito Es. 3 Fig. 3a Con riferimento al circuito di Fig. 3a: 3.1 Calcolare il Gloop, disegnarne il diagrama di Bode quotato del modulo e discutere la stabilità del circuito. 3.2 Iin è una corrente continua pari a 100A. Calcolare la differenza REALE (V--V+), assumendo il circuito stabile. 1/gm=500, R1=5k, R2=90k, R3=3k, R4=1k, R5=2M, C1=33pF, C2=47pF, C3=3nF Vout3 Iin2 Vin2+ 11 R1=10k, R2=100k, R3=200k, R4=1k, C1=470pF, C2=47pF Ad0=1000, (2d)-1 = 1.5kHz Iin