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Appello Invernale – AA 2017/2018 Elettronica Ingegneria Matematica Milano, 18/01/2018 Note: Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. εSiO2=1/3εSi, εSi=1pF/cm, q=1.6×10-19C, ni=9.65×109 cm-3, VT=26mV. Es. 1 1.1 Si consideri un transistore nMOS. VG = 4.39, VS=VD= 1 V. Calcolare il campo elettrico nell’ossido. NAB = 1016 cm-3, µn = 1200 cm2/Vs, tox = 120 nm, VFB=0 V, VB= 0 V. 1.2 Si consideri una struttura p+/i/n+. NA = ND = 5×1016 cm-3. Lo spessore delle regioni n + e p+ è di 100 nm, lo spessore della regione intrinseca di 1 µ m. La regione di svuotamento occupa tutto il dispositivo. Calcolare la tensione applicata. Es. 2 Fig. 2a Con riferimento al circuito di Fig. 2a, e assumendo i transistori saturi: 2.1 Calcolare Vout/Vin1(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. 2.2 Calcolare Vout/Vin2(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. Es. 3 Fig. 3a 3.1 Con riferimento al circuito di Fig. 3a, disegnare su un diagramma quotato in funzione del tempo l’andamento di Vout quando Vin ha l’andamento indicato in figura e Iin = 0 A. Discutere e indicare lo stato di conduzione dei diodi. 3.2 Con riferimento al circuito di Fig. 3a, disegnare su un diagramma quotato in funzione del tempo l’andamento di Vout quando Iin ha l’andamento indicato in figura e Vin = 0 V. Discutere e indicare lo stato di conduzione dei diodi.
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