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I Appello Autunnale – AA 2013/2014 Elettronica Ingegneria Matematica Milano, 05/09/2014 Note: Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. SiO2=1/3Si, Si=1pF/cm, q=1.6×10-19C, ni=9.65×109 cm-3, VT=26mV. Es. 1 Si consideri un condesnatore nMOS. VFB=0V, tox=80nm, NA=1017cm-3. 1.1 Se S=F, quale è l’estensione della zona svuotata? 1.2 Se S=2F, quale è il valore minimo (in modulo) del campo elettrico nell’ossido? 1.3 Sia VG=+6V. Calcolare E(0-)-E(0+). Fig. 1a. Es. 2 Fig. 2a Fig. 2b Fig. 2c R1=1kR2=10k1/gm= 2kSi assuma la saturazione del transistore. 2.1 Fig. 2a: calcolare Vout/Vin 2.2 Fig. 2b: calcolare Vout(s)/Vin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. C=150pF 2.3 Fig. 2c: calcolare Vout(s)/Iin(s) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato. C1=1nF, C2=10pF. Es. 3 Fig. 3a Fig. 3b Fig. 3c R1=50kR2kC=70pF. Calcolare le seguenti f.d.t. (ideali) e disegnarne il diagramma di Bode del modulo quotato 2.4 Fig. 3a: Vout(s)/Iin(s) 2.5 Fig. 3b: Vout(s)/Vin(s) 2.6 Fig. 3c: Vout(s)/Vin(s)