appello 21 09 2016 testo

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A.A. 2015/2016 Elettronica Ingegneria Matematica Milano, 21/09/2016 Note: Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. SiO2=1/3Si, Si=1pF/cm, q=1.6×10-19C, ni=9.65×109 cm-3, VT=26mV. Es. 1 Fig. 1a Fig. 1b Si assumano i transistori tutti saturi. R1 = 4 kCpF, R2 = 1 kR3 = 100 k C2 = 470 pF, R4 = 20 k1/gm = 6kC3 = 10 pF. 1.1 Si consideri il circuito di Fig. 1a. Calcolare Vout(s)/Iin1(s) e disegnarne il diagramma di Bode quotato del modulo. 1.2 Si consideri il circuito di Fig. 1a. Calcolare Vout(s)/Iin2(s) e disegnarne il diagramma di Bode quotato del modulo. 1.3 Si consideri il circuito di Fig. 1b. Calcolare Vout(s)/Vin(s) e disegnarne il diagramma di Bode quotato del modulo. Es. 2 Fig. 2a R = 20 k, C = 1 nF. Ad0 = 105, d = 0.5 s. 2.1 Si consideri il circuito in Fig. 2a. Calcolare Vout(s)/Iin(s) (ideale) e disegnarne il diagramma di Bode quotato del modulo. 2.2 Si consideri il circuito in Fig. 2a. Calcolare Gloop(s), disegnarne il diagramma di Bode quotato del modulo e calcolare il margine di fase. Es. 3 Si consideri un condensatore nMOS. VFB = 0 V, tox = 100 nm, NA = 1017 cm-3. 3.1 Quale è il valore di S che massimizza l’estensione della zona svuotata? Quale è l’estensione massima della zona svuotata? (VB = 0 V.) Si consideri un transistore nMOS. VFB = 0 V, tox = 100 nm, NA = 1017 cm-3, VB = 0 V. 3.2 Se S=F, quanto vale la concentrazione di elettroni in superficie? VS = VD = 0.2 V 3.3 Sia VG=+6V. VS = VD = 0 V. Calcolare la carica di elettroni nel canale per unità di superficie. Iin1 Iin2