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Appello Estivo– AA 2016/2017 Elettronica Ingegneria Matematica Milano, 26/06/2017 Note: Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. εSiO2=1/3εSi, εSi=1 pF/cm, q=1.6×10-19 C, ni=9.65×109 cm-3. Fig. 1a 1.1 Calcolare Vout/Vin in continua assumendo i trasferimenti degli operazionali ideali. 1.2 Per l’operazionale 2 calcolare il margine di fase. Es. 2 Fig. 2a Fig. 2b Fig. 2c 2.1 Fig 2a. Determinare il valore di R1 tale per cui il diodo si trova la bordo della conduzione. 2.2 Fig 2b. Calcolare la corrente che fluisce in D1, avendo cura di discutere lo stato di conduzione dei diodi. 2.3 Fig 2c. Vin è una sinusoide avente frequenza 1 kHz : Vin = 5 sin(2πft), f = 1 kHz. Disegnare su un diagramma quotato l’andamento delle correnti nei diodi (limitandosi ad un periodo) avendo cura di discuterne lo stato di conduzione. Es. 3 3.1 Si consideri una giunzione pn polarizzata in diretta ad una tensione Vext. Nella zona svuotata, il campo elettrico supera il valore di 1.6 kV/cm per un estensione di 0.5 µm. Quanto vale la capacità di diffusione? ND = NA =1015 cm-3, µn = 1200 cm2/Vs, µp = 400 cm2/Vs, τn = τp = 33 ns, Wn=Wp= 100 µm. (Vext è applicato alla zona p, la zona n è a massa). 3.2 Si consideri un transistore nMOS. N AB = 4×1016 cm-3, V FB = 0.1 V, µn = 1200 cm 2/Vs, W/L = 150. Si determini lo spessore dell’ossido affinchè la resistenza di canale sia pari a 51 Ω per VGS = 4 V. Si assumano il bulk e il source a massa. 10kΩ 3V 1kΩ