Appello 270611 testo simplified

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Appello Estivo– AA 2010/2011 Milano, 27/06/2011 Elettronica – Ingegneria Matematica Note: Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valo ri numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. Es. 1 Fig. 1a Fig. 1b Fig. 1c 1.1 Il grafico di fig. 1a si riferisce ad un transistore nMOS avente W=L=5 m, N A=1016 cm-3, contatto di bulk a massa. Qch è la carica dovuta agli elettroni nella regione di inversione. Calcolare V FB. 1.2 Si consideri un condensatore nMOS polarizzato in svuotamento (il terminale di bulk è a massa). La carica nel semiconduttore è pari a 9.8nC/cm2. Calcolare la tensione Vg applicata. N A=1015 cm-3, V FB=0V. Lo spessore dell’ossido tox è di 125nm. 1.3 Il transistore nMOS in fig 1b porta 2.16mA in saturazione. Il medesimo nMOS viene ora usa to nel circuito di fig. 1c (Rs=1k): calcolare (Vg2-Vg1) affinché la corrente portata sia la medesima. NA=51015 cm-3, lo spessore dell’ossido tox è di 45nm, il terminale di bulk è a massa. (Non trascurare l’effetto Body!) Es. 2 Con riferimento alla fig. 2a 2.1 Calcolare Vout/Iin1 in continua (Iin2 spento) (considerando il trasferimento ideale) 2.2 Calcolare Vout(s)/Iin2(s) (Iin1 spento) (considerando il trasferimento ideale) 2.3 Calcolare Gloop(s), disegnarne il diagramma di Bode del m odulo quotato, e calcolare il margine di fase Fig. 2°C=47pF, R1=2k, R2=1k, R3=3k R4=10k, Ad0=105 Polo dell’amplificatore a 100Hz. Es. 3 Si consider il circuito in fig 3a. (V1 e V2 sono generatori di segnale) 3.1 Polarizzare il circuito, calcolando correnti in t utti i rami, tensioni in tutti i nodi e verificando la saturazione dei transistori. Si suppongano tutti i transistori saturi, 1/gm=7.5k per tutti 3.2 V1=-V2=Vd/2. Calcolare…