appello 28 06 19 testo

Page 1

I Appello Estivo – AA 2018/2019 Elettronica Ing. Matematica Milano, 28/06/2019 Note: Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. SiO2 = 1/3Si, Si = 1 pF/cm, q = 1.6×10-19 C, ni = 9.65×109 cm-3, VT = 26 mV. Es. 1 Fig. 1a 1.1 Si consideri un condensatore nMOS. NAB = 1016 cm-3, n = 1200 cm2/Vs, tox = 100 nm, V FB = 0.3 V, VB = 0 V. Sia xd max la massima estensione della zona svuotata. Quanto deve valere VG affinchè xd = 0.5 xd max? Es. 2 Fig. 2a Fig. 2b Fig. 2c Assumendo i transistori saturi: 2.1 Fig. 2a: calcolare vout/iin. 2.2 Fig. 2b: calcolare vout/iin. 2.3 Fig. 2c: calcolare vout/iin. Es. 3 Fig. 3a Fig. 3b 3.1 Con riferimento al circuito di fig. 3 a, calcolare Gloop, disegnarne il diagramma di Bode del modulo e calcolare il margine di fase. 3.2 Si consideri il circuito di fig. 3b. I dati dell’operazionale sono i medesimi di fig. 3a, R2 = 10 k; si sostituisca a R1, C1, C2 un circuito aperto. Iin è una sinusoide a 1 MHz e di ampiezza 1 mA. Si esprima analiticamente vout, considerando il trasferimento reale. vout 1 2 3 4 1 2 3 4 1 2 3 4