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Appello Estivo– AA 2010/2011 Milano, 01/09/2011 Elettronica – Ingegneria Matematica Note: Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valo ri numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. Es. 1 Fig. 1a. VD=10V, VS=-1V RS=10k Fig. 1b VD=10V, RS=10k Si consideri il circuito di Fig. 1a. Il transistore ha il contatto di bulk a massa e porta una corrente pari a 100 A. NA=1016 cm-3, V FB=0V, =800cm2/Vs. Lo spessore dell’ossido t ox è di 100nm, W/L=100. 1.1 Caclolare il potenziale superficiale s lato source 1.2 Calcolare VG1 Si consideri il circuito di Fig. 1b. Il transistore ha il contatto di bulk a massa e porta una corrente pari a 100 A. I parametri costruttivi sono gli stessi dei punti 1.3 e 1.4. 1.3 Caclolare il potenziale superficiale s lato source 1.4 Calcolare VG2 Es. 2 Si consider i il circuito in Fig 2a. D1 porta 1mA ( in diretta). 2.1 Calcolare Vin 2.2 Caclolare Iin (motivare le risposte anche in base allo stado di conduzione di D2) Si consideri il circuito in Fig 2b. Vin in t=0s passa da 0V a 10V. I condensatori sono inizialmente scarichi. 2.3 Disegnare su un diagramma quotato in funzione del tempo l’andamento di Vout(t), indicando lo stato di conduzione del diodo. Fig. 2a R1=700, R2=3k, R3=6k Fig. 2b R1=3k, C1=1pF, R2=7k, C2=1pF Es. 3 Si consideri il circuito in Fig 3a. Ad0 è tale da far sì che i poli ad anello chiuso siano complessi coniugati e siano disposti a 45. Ad(s)=Ad0/[(1+1s)(1+2s)], 1=10ms, 2=1s. 3.1 Calcolare la posizione dei poli ad anello chiuso 3.2 Calcolare Ad0 Con riferimento alla Fig. 3b 3.3 Calcolare Vout (considerare per l’amplificatore operazionale i trasferimenti ideali) Fig. 3a Fig. 3b R1=R2=R3=2kR4=100k R5=5kR6=10k