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Fde 221104

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Fondamenti di ElettronicaFirst midterm

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Fondamenti di Elettronica – Ing. INFORMATICA - AA 2022/2023 4 Novembre 2022 – Prima Prova in Itinere – durata 2h 30min 1. Numerare tutti i fogli e riportare su ciascun foglio nome, cognome e codice persona. 2. Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Ad esempio 1a)... 3. Non sono ammessi libri o appunti o altro materiale, eccetto la calcolatrice. Esercizio 1 Dati: 𝑉!=−5𝑉, 𝑉"=0.7𝑉, 𝑅=1𝑘Ω, 𝐶=1𝜇F. Si consideri il circuito in figura; si trascuri la presenza della capacità C. a) Disegnare la caratteristica statica 𝑉#$%𝑣𝑠.𝑉&' nell’intervallo 𝑉&'∈[−10𝑉; +10𝑉], specificando dove il diodo cambia stato. b) Si disegni l’andamento di 𝑉#$%(𝑡) nel caso in cui 𝑉&'(𝑡) sia un’onda quadra come riportato in figura; valutare la potenza media dissipata dal diodo (𝑃() ed erogata dal generatore (𝑃&'). Si consideri ora anche la presenza della capacità C e sia 𝑉&'(𝑡) un gradino di tensione tra 0 e 10V. c) Disegnare 𝑽𝒐𝒖𝒕(𝒕) su un grafico quotato. d) Disegnare 𝑰𝒊𝒏(𝒕) su un grafico quotato e valutare la potenza di picco erogata dal generatore (𝑃&'./0) e dissipata dal diodo (𝑃(./0). Esercizio 2 Dati: 𝑉((=5𝑉,𝑘'=120𝜇𝐴/𝑉1,|𝑘2|=90𝜇𝐴/𝑉1,𝑉3'=|𝑉32|=0.6𝑉,𝐶#$%=1 𝑝𝐹, Porte NOR: logica Fully CMOS (F-CMOS) alimentata tra 0V e 𝑉((. Siano A, B e C segnali digitali di livelli 0 V e 𝑉((. a) Scrivere la tabella di verità dell’uscita OUT indicando anche i relativi livelli di tensione. b) Calcolare il minimo ed il massimo tempo di commutazione alto-basso della porta. Si consideri una soglia pari a 𝑉((/2. c) Disegnare la rete di pull-up (PUN) e la rete di pull-down (PDN) necessarie per realizzare la stessa funzione in logica F-CMOS illustrando chiaramente il procedimento utilizzato. Esercizio 3 Dati: 𝑉((=3𝑉,𝑘'=200𝜇𝐴/𝑉1,|𝑘2|=150𝜇𝐴/𝑉1,𝑉3'=|𝑉32|=1𝑉 a) Scrivere la tabella di verità delle uscite OUT1 e…

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