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Fondamenti di Elettronica – Ing. INFORMATICA - AA 2023/2024 5 Febbraio 2024 – Secondo Appello – durata 2h 30min 1. Numerare tutti i fogli e riportare su ciascun foglio nome, cognome e codice persona. 2. Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Ad esempio 1a)... 3. Non sono ammessi libri o appunti o altro materiale, eccetto la calcolatrice. Esercizio 1 Dati: 𝑅=1 𝑘Ω, 𝐶!=1 𝑛𝐹, diodo ideale con tensione di accensione 𝑉"=0.7 𝑉 e 𝑉#$=−2 𝑉 . a) Si assuma 𝑉%&∈[−5𝑉;+5𝑉]. Tracciare la caratteristica statica Vout vs Vin. b) Tracciare il grafico quotato di Vout(t) in risposta ad un gradino di Vin da 5V a 0V indicando lo stato del diodo nel tempo. Esercizio 2 Dati: 𝑉$$=5𝑉,𝑉'&=7𝑉'(7=1𝑉,𝐾&=1𝑚𝐴/𝑉),𝐾(=0.1𝑚𝐴/𝑉),𝐶*=1𝑝𝐹 . Gli ingressi A, B, C hanno valori (0, VDD). a) Determinare la tabella di verita’ del circuito ed i livelli di tensione di VOUT, motivando brevemente i singoli casi. b) Si assuma A=”1”, B=”0” e sia C un’onda quadra da 0 a VDD a 1 MHz con duty cycle 50%. Si disegni il grafico di VOUT e si calcoli la potenza media statica (Pstat) e dinamica (Pdin) dissipata dal circuito. c) Si consideri la transizione ABC=(001) à (000). Disegnare il transitorio di VOUT, specificando i valori iniziali e finali, e calcolare una sovrastima ed una sottostima del tempo di propagazione (soglia logica a 2.5 V). Esercizio 3 Dati: 𝑉! =+0.5𝑉, 𝑅=100𝑘W,𝑅#=600𝑘W,𝐶#=2𝑛𝐹,𝐶$=𝐶%=1𝑛𝐹, 𝑅&'=100𝑘W,𝐴𝑂: 𝐴(=10),𝐺𝐵𝑊𝑃=50𝑀𝐻𝑧. 𝑘'=*+,-!,𝑉./=1𝑉, capacità parassita tra gate e source e tra gate e drain del MOSFET: 𝐶012=0.1𝑝𝐹.𝑉3%∈{−3𝑉,+10𝑉}. 𝐼&' (𝑡)= 𝐴&'sin(2𝜋𝑓&'𝑡),𝐴&'=3𝜇𝐴,𝑓&'∈[10𝐻𝑧,10𝑘𝐻𝑧] . ADC SAR a) Determinare il contributo reale di 𝑉! sull’uscita 𝑉45.,*. b) Valutare l’effetto di una tensione di offset 𝑉43 =∓0.1𝑚𝑉 sull’uscita 𝑉45.,*. c) Determinare il minimo numero di bit necessario per avere una…