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Appello Estivo– AA 2010/2011 Milano, 19/09/2011 Elettronica – Ingegneria Matematica Note: Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valo ri numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. Es. 1 Fig. 1a 4.2E3 cm-3 3E14 cm-31.51E15 cm-3 2.1E4 cm-3 16mm p-type n-type Si consideri la giunzione pn di Fig . 1a, polarizzata in diretta. Il grafico in basso riporta la concentrazione dei minoritari nelle zone neutre. mn=1000cm2/Vs, mp=350cm2/Vs. 1.1 Caclolare Jn e Jp 1.2 Calcolare il campo elettrico massimo nella zona svuotata. 1.3 Calcolare Cdn, Cdp, Cj Es. 2 Fig. 2° R1=32766 R2=50410 R3=825k R4=175k R5=50k C=10nF Ipol=200mA VDD=5V Si consideri il circuito in Fig 2a. |VT|=0.6V, 1/2mCoxW/L=75mA/V2 per tutti i transistori. 2.1 Calcolare la polarizzazione, indicando correnti in tutti i rami, tensioni in tutti i nodi e verificando la saturazione dei transistori Si ipotizzino i transistori tutti saturi e 1/gm=6k 2.2 calcolare Vout/Vin in continua 2.3 Vnoise è una sinusoide di picco 2mV. Calcolare Vout (si consideri C in cortocircuito) Es. 3 Fig. 3a Si consideri il circuito in Fig 3 a. Ad(s)=Ad0/(1+s), =100ms, Ad0=100dB. Rin=10kR=35kC=100pF 3.1 Calcolare il trasferimento ideale Vout(s)/Vin(s), e disegnarne diagramma di Bode del modulo quotato 3.2 Calcolare Gloop, disegnarne diagramma di Bode del modulo quotato e valutare il margine di fase 3.3 Calcolare il trasferimento ideale Vout(s)/Iin(s), e disegnarne diagramma di Bode del modulo quotato
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