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Preappello PARTE 1 – AA 2016/2017 Elettronica Ingegneria Matematica Milano, 03/02/2017 Note: Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. εSiO2=1/3εSi, εSi=+/971pF/cm, q=1.6×10-19C, ni=9.65×109 cm-3, VT=26mV. Es. 1 Fig. 1a + Es. 2 Fig. 2a Fig. 2b 2.1 Si consideri la struttura mostrata in Fig. 2a. Essa è polarizzata in inversa così che il campo nella zona intrinseca i è pari, in modulo, a 100 kV/cm. Calcolare l’estensione della zona svuotata. La zona n+ si estende per 300 nm, quella intrinseca per 2 µm. 2.2 Si consideri il transistore nMOS di Fig. 2b. Calcolare VDD affinchè la corrente portata sia pari a 1.67 mA. Non si trascuri la tensione VSB. Il bulk è a massa. 2.3 Si consideri una giunzione pn polarizzata in diretta, Vext = 0.55 V. NA = ND = 1016 cm-3. Calcolare il rapporto tra le concentrazioni di elettroni alla giunzione metallurgica e al bordo tra zona di carica spaziale e zona neutra p.
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