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Preappello PARTE 1 – AA 2014/2015 Elettronica Ingegneria Matematica Milano, 03/03/2015 Note: Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. SiO2=1/3Si, Si=1pF/cm, q=1.6×10-19C, ni=9.65×109 cm-3, VT=26mV. Es. 1 Fig. 1a Fig. 1b Fig. 1c 1.1 Si consideri il circuito di Fig. 1a. Disegnare su un diagramma quotato l’andamento di Vout in funzione di Vin, con Vin che varia tra -15V e +15V, avendo cura di indicare lo stato di conduzione del diodo. 1.2 Si consideri il circuito di Fig. 1b. Disegnare su un diagramma quotato l’andamento di Vout in funzione di Iin, con Iin che varia tra -10mA e + 10mA, avendo cura di indicare lo stato di conduzione del diodo. 1.3 Si consideri il circuito di Fig. 1c. Vin è uno scalino di 1V. Per t=0- il condensatore è scarico. Disegnare su un diagramma quotato in funzione del tempo l’andamento di Vout, avendo cura di indicare lo stato di conduzione del diodo. Es. 2 Fig. 2 2.1 Un transistore MOS è polarizzato in forte inversione tale che |Qc|=35nC/cm2. Source e drain sono polarizzati entrambi a Vc. Calcolare Vc. VG= 5 V. VFB=0V, W/L=10, NA=1016 cm-3, n=800 cm2V-1s-1. tox = 100 nm. Il bulk è a massa. 2.2 In un transistore MOS il potenziale di gate vale VG = 3 V. La zona svuotata si estende per 1.41m. Il bulk è a massa, source e drain sono equipotenziali. Calcolare il campo elettrico nell’ossido. VFB=0V, W/L=10, NA=1015 cm-3, n=1000 cm2V-1s-1, tox=80 nm.