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Prova intermedia – AA 2010/2011 Milano, 19/11/2010 Elettronica – Ingegneria Matematica Note : Indicare chiaramente la domanda a cui si sta risp ondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. Es. 1 Fig. 1a Fig. 1b Fig. 1c Fig.1d Fig. 1e R1=3k Ω , R2=10k Ω , C=1nF. Per t<0 il condensatore è scarico. 1.1 Si consideri il circuito in Fig.1a. Vin ha l’an damento mostrato in Fig. 1d. Disegnare su un diagramma quotato in funzione del t empo (0<t<50 µs) l’andamento di Vout avendo cura di indicare lo stat o di conduzione del diodo 1.2 Si consideri il circuito in Fig.1b. Vin ha l’an damento mostrato in Fig. 1d. Disegnare su un diagramma quotato in funzione del t empo (0<t<50 µs) l’andamento di Vout avendo cura di indicare lo stat o di conduzione del diodo 1.3 Si consideri il circuito in Fig.1c. Iin è uno s calino da 200 µA (Fig. 1e). Disegnare su un diagramma quotato in funzione del t empo (0<t<50 µs) l’andamento delle correnti che fluiscono in R2, nel diodo e nel condensatore, avendo cura di indicare lo stato di conduzione del diodo Es. 2 Fig 2a 2.1 Si consideri una giunzione pn polarizzata a 0V. L’estensione della zona di carica spaziale in zona p è un terzo dell’estensione totale della zona di carica spaziale. N A=10 18 cm -3. Calcolare N D. 2.2 Si consideri una giunzione pn con drogaggio N A=N D=3 ×10 15 cm -3. Calcolare Vext tale da avere un campo massimo pari a 10 5 V/cm. Si trascuri Vbi. 2.3 Si consideri la giunzione pn in fig. 2a. N A=N D=3 ×10 16 cm -3. µn=800cm 2/Vs, µp=350cm 2/Vs, τn= τp=800ns, W N=200 µm, W P=200 µm. Sia Lp la lunghezza di diffusione delle lacune. La giunzione è polarizzata in diretta. Ad una distanza pari ad Lp da –xn, la densità di corrente di…