Primo Compitino 09 05 08 testo

Page 1

Prova intermedia – AA 2007/2008 Milano, 09/05/2008 Fondamenti di Elettronica – Ingegneria Matematica Note: Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Es. 1 R1=3k Ω Si consideri il circuito in figura. 1.1 Si determini R2 in modo tale che Vout/Vin=0.7 p er Vin<0 Si consideri per R2 il valore trovato al punto 1.1 1.2 Si determini la massima tensione Vin tale per c ui entrambi i diodi sono spenti 1.3 Si determini R3 in modo tale che la minima tens ione Vin tale da accendere entrambi i diodi sia 2.35V Si consideri per R2 il valore trovato al punto 1.1, per R3 il valore trovato al punto 1.3, e sia R4=12k Ω . 1.4 Se il diodo D2 dissipa 50 µW, quanto valgono Vout e Vin? Es. 2 R1=10M Ω , R2=10M Ω , R3=8k Ω , R4=2k Ω , C1=300pF, C2=5pF. ½µC OX W/L=0.75mA/V 2, |V T|=0.5V Ipol=0.5mA VDD=VSS=5V Si consideri il circuito in figura (Ipol è un generatore di polarizzazione). 2.1 Polarizzare il circuito e calcolare le tensioni a tutti i nodi e le correnti in tutti i rami. Calcolare le seguenti funzioni di trasferimento e disegnarne il diagramma quotato di Bode del modulo: 2.2 Vout1(s)/Vin(s) 2.3 Vout2(s)/Vin(s) Es. 3 3.1 Disegnare la schema circuitale della porta logi ca che sintetizza la seguente funzione logica: ( )AND OR A B C . La porta logica deve essere realizzata in tecnolo gia CMOS utilizzando al più tre transistori n e 3 transistori p. La porta logica sintetizzata al punto 3.1 è aliment ata a 3.3V. Le caratteristiche dei transistori, sia p che n, sono le seguenti: ½µCOX W/L=100 µA/V 2, |V T|=0.4V. La porta logica pilota una capacità CL da 90fF. 3.2 Identificare per quale/i commutazione/i degli i ngressi il ritardo di propagazione introdotto dalla porta è massimo e stimare tale valore.…